BRAINZAP 8GB () DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S-11-12-F3 2Rx8 1600 MHz 1.35V CL11 Notebook Laptop Arbeitsspeicher 2x 4GB

Produktbeschreibung

Produktbeschreibung

Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-8GK2-SO-1600-2RL-11-12-F3. Es läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätsstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz und 1066 MHz.

Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit den JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11-12-F3 programmiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11. Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).

Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.

Kompatibel mit PC3L-12800S-11-12-F3 wie z.B:

• Hynix HMT351S6EFR8A-PB
• Hynix HMT351S6CFR8A-PB
• Samsung M471B5173QH0-YK0
• Samsung M471B5173EB0-YK0
• Micron MT8KTF51264HZ-1G6N1
• Ramaxel RMT3170MN68F9F-1600

Produktdetails

• EAN: 4262360571286
• Speichertyp: DDR3 RAM
• Marke: BRAINZAP
• Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-2RL-11-12-F3
• Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD
• Speicher-Frequenz: 1600 MHz
• Modul-Einzelkapazität: 4GB
• Anzahl Module: 2
• Gesamtkapazität: 8GB
• Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-12-F3
• JEDEC Norm: PC3L-12800S
• Bauform: SO DIMM 204-pol.
• Unbuffered: ja
• ECC: nein
• Registriert: nein
• Spannung: 1.35V
• Latenz (CL): 11
• RAS to CAS Delay (tRCD): 11
• Ras Precharge Time (tRP): 11
• Chip-Anordnung: 2Rx8