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BRAINZAP 8GB () DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S-11-12-B4 1Rx8 1600 MHz 1.35V CL11 Notebook Laptop Arbeitsspeicher 2x 4GB

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Artikelnummer: 4262360571262 Kategorie:

Produktbeschreibung

Produktbeschreibung

Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität. Die Artikelnummer lautet BS-D3-8GK2-SO-1600-1RL-11-12-B4. Der RAM läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätsstandards hergestellt und überprüft.

  • Speicherfrequenz: 1600 MHz (abwärtskompatibel zu 1333 MHz und 1066 MHz)
  • Marke: BRAINZAP
  • JEDEC-Registrierung: 100% JEDEC Spezifikationen
  • Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-12-B4
  • Speicherlatenz: CL11
  • Modul-Bestückung: Einseitig (Single-Rank 1Rx8)
  • Unbuffered und Nicht-ECC

Wir verwenden nur Markenchips, vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix. Der Speicher ist kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung, Aussehen kann abweichen.

Kompatibel mit PC3L-12800S-11-12-B4, wie z.B.:

  • Hynix HMT451S6AFR8A-PB
  • Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F
  • Ramaxel RMT3170EF68F9W-1600

Produktdetails

  • EAN: 4262360571262
  • Speichertyp: DDR3 RAM
  • Marke: BRAINZAP
  • Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-1RL-11-12-B4
  • Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD
  • Speicher-Frequenz: 1600 MHz
  • Modul-Einzelkapazität: 4GB
  • Anzahl Module: 2
  • Gesamtkapazität: 8GB
  • Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-12-B4
  • JEDEC Norm: PC3L-12800S
  • Bauform: SO DIMM 204-pol.
  • Unbuffered: ja
  • ECC: nein
  • Registriert: nein
  • Spannung: 1.35V
  • Latenz (CL): 11
  • RAS to CAS Delay (tRCD): 11
  • Ras Precharge Time (tRP): 11
  • Chip-Anordnung: 1Rx8

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