BRAINZAP 4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S-11-12-B4 1Rx8 1600 MHz 1.35V CL11 Notebook Laptop Arbeitsspeicher

Produktbeschreibung

Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1600-1RL-11-12-B4 läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätsstandards hergestellt und überprüft.

• Speicherfrequenz: 1600 MHz (abwärtskompatibel zu 1333 MHz und 1066 MHz)
• Marke: BRAINZAP
• JEDEC Registrierung und Spezifikationen: Entspricht zu 100% den JEDEC Spezifikationen
• JEDEC-Spezifikationen: PC3L-12800S-11-12-B4
• Speicherlatenz: CL11
• Bestückung: Einseitig (Single-Rank 1Rx8)
• Unbuffered und Nicht-ECC
• Markenchips: Samsung, Micron und SK Hynix

Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston). Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.

Kompatibel mit PC3L-12800S-11-12-B4 wie z.B:

• Hynix HMT451S6AFR8A-PB
• Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F
• Ramaxel RMT3170EF68F9W-1600

Produktdetails

• EAN: 4262360570753
• Speichertyp: DDR3 RAM
• Marke: BRAINZAP
• Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-1RL-11-12-B4
• Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD
• Speicher-Frequenz: 1600 MHz
• Modul-Einzelkapazität: 4GB
• Anzahl Module: 1
• Gesamtkapazität: 4GB
• Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-12-B4
• JEDEC Norm: PC3L-12800S
• Bauform: SO DIMM 204-pol.
• Unbuffered: ja
• ECC: nein
• Registriert: nein
• Spannung: 1.35V
• Latenz (CL): 11
• RAS to CAS Delay (tRCD): 11
• Ras Precharge Time (tRP): 11
• Chip-Anordnung: 1Rx8