BRAINZAP 4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-12800S-11-11-F3 2Rx8 1600 MHz 1.5V CL11 Notebook Laptop Arbeitsspeicher

Produktbeschreibung

Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1600-2RN-11-11-F3 läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz und 1066 MHz.

Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit den JEDEC-Spezifikationen PC3-12800S-11-11-F3 programmiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11.

Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Es ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).

• Neuer Speicher
• Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
• Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher
• Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.

Kompatibel mit PC3-12800S-11-11-F3 wie z.B:

• Hynix HMT351S6CFR8C-PB
• Samsung M471B5273DH0-CK0
• Samsung M471B5273EB0-CK0
• Ramaxel RMT3160ED58E9W-1600
• Kingston ACR512X64D3S16C11G

Produktdetails

• EAN: 4262360570715
• Speichertyp: DDR3 RAM
• Marke: BRAINZAP
• Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-2RN-11-11-F3
• Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD
• Speicher-Frequenz: 1600 MHz
• Modul-Einzelkapazität: 4GB
• Anzahl Module: 1
• Gesamtkapazität: 4GB
• Speicher-Spezifikation: PC3-12800S-11-11-F3
• JEDEC Norm: PC3-12800S
• Bauform: SO DIMM 204-pol.
• Unbuffered: ja
• ECC: nein
• Registriert: nein
• Spannung: 1.5V
• Latenz (CL): 11
• RAS to CAS Delay (tRCD): 11
• Ras Precharge Time (tRP): 11
• Chip-Anordnung: 2Rx8